Travaux sur le transistor à ionisation par impact (I-MOS): Étude, réalisation et caractérisation sur substrat Silicium et Germanium sur isolant (SOI, GeOI) PDF

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ISBN: 6131501734.

Nom des pages: 245.

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Le transistor à ionisation par impact (I-MOS) est une nouvelle architecture présentant l’avantage de s’affranchir de la barrière des 60mV/dec à température ambiante, qui limite la pente sous le seuil de l’architecture MOSFET classique. Le I-MOS se présente comme une diode PiN dont la zone intrinsèque est partiellement recouverte par une grille. L’objectif de cette thèse est d’évaluer les performances du I-MOS comme candidat potentiel à « l’après CMOS », à la fois du point de vue du dispositif unitaire et dans un environnement circuit. Nous avons fabriqué nos dispositifs sur substrats SOI et GeOI et proposé un procédé innovant de réalisation du I-MOS. Les dispositifs réalisés ont été testés électriquement afin de vérifier les propriétés fondamentales du I-MOS (2mV/dec mesurés…) et de comparer les performances du I-MOS avec celles des MOSFET co-intégrés. Le fonctionnement des I-MOS en mode tunnel bande à bande a aussi été observé. Nous avons également développé un modèle analytique pour le I-MOS qui décrit correctement le fonctionnement électrique du dispositif. Ce modèle a ensuite été intégré dans un environnement SPICE pour réaliser des simulations de circuits à base de I-MOS.

La caractéristique la plus importante est la réduction du taux de refroidissement. Ce circuit a un gain mesuré de 10,15 dB et une isolation vers l’arrière de -43,24 dB. De plus, les deux étapes sont combinées par un balun intégré et la performance globale est vérifiée. Comme on peut le voir, la mobilité est réduite d’un facteur 2 juste.

L’excitation était conditionnelle à l’état de spin du centre. Dans le cas de la température, il a été directement affecté par la dilatation thermique du matériau. En outre, l’angle d’arrivée et l’angle de départ sont déterminés à partir des jeux de données MIMO en utilisant des techniques de recherche de directions à super-résolution. Les transistors sans jonction ont une couche de dispositif ultra mince de semi-conducteur fortement dopé qui.